四:對一些異常現象的分析思路和實例

了解晶體管的電參數，是為了用好晶體管。什么叫用好晶體管？是一個智者見智，仁者見仁的問題，我相信不會有唯一的答案。我想，作為電子應用工程師，除了對晶體管有所了解，還必須對其它的電子元器件有所了解。在你設計的電路中，就是你對這些元器件理解的組合。在一個電路中，讓晶體管工作在比較合適的工作點上，發揮著比較佳性能，在完成所希望功能的同時，有較高的可靠性，對晶體管而言，基本就算用好了。實際上，晶體管只是我們通常使用的電子元器件中的一類，所有電子產品，都是各類電子元器件的有機組合體。因此，我們在設計一件電子產品時，就是把這些電子器件按人們的要求進行組合。因各人對電子器件的理解不同，對同一類產品的設計理念不同，就導致了功能各異、性能各異的電子產品。但從原則性角度上講，我認為比較重要的是：要從“系統”的角度來看待在我們手中做出的產品。下面談談我親身經歷過的幾件事。

一、在我負責收音機電路的售后服務時，曾碰到過這樣一種現象，生產線上流出的成品，在入倉庫，抽檢中出現壞機，壞機的現象是調頻靈敏度下降，噪聲增大。經查，是主IC的調頻輸入端已損壞。失效率在3%以上。對此，分析了IC芯片、組裝工藝、生產線的狀態，均無異常。

對IC芯片進行解剖后發現，在輸入端有電場擊穿的痕跡。而對生產的現場，進行檢查、跟蹤，得出了都在該公司的質量控制范圍的結論。而且，當時的天氣并不是很干燥，找出這種高壓電脈沖是從哪里來的，就成了當務之急。因為問題是在入庫檢查時發現的，所以，就從比較后一道工序往前走。走了幾遍，沒發現問題。這時我就對每道工序都提了個為什么――“此工序要達到的結果是什么”，然后再問一下自己，“此種操作，會引起IC的損傷嗎”？

帶著這樣的心情再走在生產現場，果然就有收獲了：比較后一道工序，是包裝，而在包裝前，該公司為了收音機表面的清潔，幾乎對每臺機都用一種有機溶劑，進行了擦試。用這種工藝對外接的拉桿天線進行處理進，產生的靜電則由于沒有泄放回路，而保留在整機中。當這些電荷通過IC的高放電路對地（對電源同）形成泄放時，而此IC的高放，是整塊電路中比較薄弱的部分，所以就很可能使此IC損壞。想通后，就建議在此IC的高放輸入端接入了雙向保護二極管，問題得到解決。

二、在某電源整機廠，在相同的輸出功率情況時，用晶體管Pcm較小（即芯片面積相對較小）的管子正常，而用Pcm較大（即芯片面積相對較大）的晶體管卻大量損壞的現象。解剖這些失效的晶體管，都是過功率型損壞。在該公司現場了解到的情況使我大吃一驚：
1.振蕩頻率達到了75KHZ以上，部分在90KHZ；
2.該公司為了提高產品的質量，對所有整機都進行超功率1.2倍的高溫老化。經現場計算，此時，晶體管的Pcm已經超出了規格書的數據。

對此，我作了如下解釋：
1.雙極型晶體管在用于開關電源時，受ts、tf等參數的影響，其振蕩頻率不能超過50KHZ，否則，晶體管在轉換過程中，因通過放大區的時間太長，晶體管的功耗會明顯增大，加上此電源又是處于密封狀態，在這些綜合因素的影響下，會使晶體管的失效率明顯上升；
2.考核時（尤其是在高溫環境下），不能讓晶體管工作在過功率狀態，至于說，為了提高整機的可靠性而加大老化功率，則更是無從談起，因為，老化只是一種工藝篩選的手段，對產品設計時，只能起到驗證的作用。而且，在高溫環境中，對電子產品進行過功率老化，有可能使正常的晶體管受損，反而降低了產品的可靠性。

3.綜合這些因素，我以為，只要使用這種方案，早晚要出事。所以當時就給出了兩個方案：
1、客戶改線路，至少要把考核的功率降下來;
2、改供應商。因為我公司產品的性能達不到該整機廠的要求。

此例給我一個啟示：工程師在設計東西時，除了對整機要有一個正確的認識外，對電子元器件也要有正確的認識。不然，很可能是好心辦壞事。

三、某公司在一款交換機的電源制作中，出現輸出效率偏低的異常。一般，開關電源的振蕩頻率在35―50KHZ，此時常用肖特基管或快恢復二極管作為整流二極管（普通整流二極管的工作頻率小于1000HZ）。由于此電源的開路電壓較高，就選用了快恢復二極管（國產肖特基二極管的比較高反向擊穿電壓小于200V）。對此，我認為是整流二極管的工作效率不夠而引起。但因沒有檢測設備，只能把這些異常的二極管帶回公司進行測試。

首先，二極管的所有直流參數全部正常，但要對二極管測試交流參數，則必須在專用測試儀上進行。而此類設備，一般在非專業生產廠家，是不會有的。當時，考慮到普通的整流二極管與快恢復二極管肯定存在著某些差異，而要檢測這類差異的，只有一臺電容測試儀。于是就對比檢測了普通整流二極管4007與107之間的結電容大小。發現反饋樣品與4007的結電容量值幾乎相同，而與公司庫存快恢復二極管的結電容有明顯的差異。于是得出了可能是供應商在發貨中出現了混料的結論。把這些客戶的反饋樣品交供貨商進行檢測，得到了證實。


在前面所寫的《晶體管參數在實際使用中的意義》中，提到了晶體管的飽和壓降問題，有網友對此問題提出了不同意見。當時，沒太在意。過后對此問題又重新思考一下，同時，在網上看看對問題的看法，結果發現，許多的理解是錯誤的，一些解釋也是不完全的。因此，想對此問題重點說說。如有不同意見，歡迎討論。

眾所周知，一個普通的雙極型晶體管有二個PN結、三種工作狀態（截止、飽和、放大）和四種運用接法（共基、共發、共集和倒置）。對這兩個PN結所施加不同的電位，就會使晶體管工作于不同的狀態：兩個PN結都反偏――晶體管截止；兩個PN結都導通――晶體管飽和：一個PN結正偏，一個PN結反偏――晶體管放大電路（注意：如果晶體管的發射結反偏、集電結正偏，就是晶體管的倒置放大應用）。要理解晶體管的飽和，就必須先要理解晶體管的放大原理。

從晶體管電路方面來理解放大原理，比較簡單：晶體管的放大能力，就是晶體管的基極電流對集電極電流的控制能力強弱。控制能力強，則放大大。但如果要從晶體管內部的電子、空穴在PN結內電場的作用下，電子、空穴是如何運動的、晶體管的內電場對電子、空穴是如何控制的等一些物理過程來看，就比較復雜了。

對這個問題，許多教課書上有不同的描述。我對此問題的理解是：當晶體管處于放大狀態時，基極得到從外電源注入的電子流，部分會與基區中的空穴復合，此時產生的復合電流，構成了基極電流的主體。由于此時晶體管是處于放大狀態，故集電結處于反偏。又因集電結的反偏，就在此PN結的內部，就形成了一個強電場，電場的方向由集電極指向基極，即集電極為正，基極為負。也就是說，在此PN結（集電結）聯接集電極的一端，集中了大量帶正電的空穴。當從基極注入的電子流進入基區后，一部分與基區內部的空穴進行了復合，而大部分電子則在強電場的作用下，被“拉”到了集電極，這種被電場“拉”到集電極的電子流，構成了集電極電流的主要組成部分。由于從基極注入的電子流，只有很少一部分在基區被復合，大部分電子是在集電結的強電場的作用下，集中到了集電極，構成了集電極電流的主體，所以，此時的集電極電流要遠大于從基極注入的電流，這就是晶體管放大功能的物理模型。此時，是以NPN型晶體管進行舉例。如果是PNP型晶體管，則只要把晶體管的極性由正換成負就行。

如果要從基極電流、集電極電流、發射極電流的組成、流動，PN結的能級等等方面來講清晶體管的放大機理，就更復雜了。這在許多專業的教課書都有解釋。

現在的問題是：如果增大晶體管基極的電流注入，晶體管還能工作在放大區嗎？如果不能，則晶體管會從放大狀態，向什么狀態過渡？另外，基極電流的注入，能不能無限增加？也就是說，晶體管對基極電流有限制嗎？限制的條件是什么？這就要從晶體管的放大狀態，進入另一個狀態的――飽和狀態的討論。在下面的討論中，以共發射極電路進行。其它形式的放大電路，都可以用這種方法進行。